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副会长庄德津
  

个人简介

1974年3月出生,天津人,1992年8月参加工作,2004年5月毕业于堪萨斯州立大学。国家“千人计划”创业人才,青岛铝镓光电半导体有限公司总经理。

个人经历

庄德津,1996年毕业于天津大学化学工程专业,后赴美国堪萨斯州立大学化学工程系学习并获得化学工程博士学位,此后以访问学者的身份在北卡洛莱纳州立大学材料科学与工程系进行研究。在此期间,发展、优化并产业化氮化物宽禁带半导体材料,发明了低能耗氮化物半导体蚀刻表征技术。

2006年至2008年,在美国HexaTe-ch公司担任高级工艺工程师,主要研究氮化物半导体的制备方法和表征手段、工业化氮化物半导体衬底材料,并负责市场战略研究等工作。2009年创立青岛铝镓光电半导体有限公司。

入选国家“千人计划”专家,被聘为泰山学者海外特聘专家。

研究方向

半导体设备和材料的研发与生产。

企业简介

青岛铝镓光电半导体有限公司成立于2009年12月,注册资本为472.47万元人民币,由归国博士庄德津先生(入选山东省万人计划第一层次人选和中组部千人计划。)一手创办,现一般经营项目为:半导体材料、器件、设备的研发、生产、销售。在庄德津博士跟刘良宏博士的带领下,公司在近两年发展迅速,现公司:完成了新型氮化物半导体材料设备的研发定型工作,产出国内首批大尺寸低成本的氮化物晶体,晶体结晶质量处于国际领先地位;

公司研发团队:1)开发了具有国际领先水平的GaN HVPE低压直立式反应器; 2). 在世界上第一个实现了在蓝宝石上无低温缓冲层的直接HVPE法生长GaN,并具有高度重复性; 3). 开发了GaN晶体的切磨抛工艺路线;4).实现了低成本的GaN衬底中试生产,生产出2inch 自支撑GaN衬底,2inch, 3inch,4inch GaN/A2O3 复合衬底

设备研发: 完成单片机和七片机的开发和定型;已经完成用于氮化铝单晶生产的高温高真空感应加热设备的研发和建造,达到了设计要求。